杭州吉海半导体制造厂房项目（一期）

杭州吉海半导体制造厂房项目（一期）

项目介绍：杭州吉海半导体制造厂房项目（一期）总建筑面积约 300000 m2，包含一幢三层FAB 厂房、一幢三层CUB 厂房、一幢三层WWT厂房五层研发办公楼及其他配套小栋号单体建筑。CUB厂房和WWT厂房下设一~二层地下室，基坑开挖深度约9.7 米，框架结构，预估最大单柱荷载约 25000KN.拟采用桩筱基础;FAB 厂房局部下设一层地下室，基坑开挖深度约 5米，框架结构，预估最大单柱荷载约 30000KN.拟采用桩筱基础:研发办公楼下设一层地下室，基坑开挖深度约5米框架结构预估最大单柱荷载约 5000KN拟采用桩基础:其他配套小栋号单体建筑高一层，框架结构预估最大单柱荷载约 2000KN拟天然地基浅基础或采用桩基础。

项目成果：我司采用现场检测的形式对该工程进行了基桩承载力检测、基桩完整性检测，施工期间我司提交了50份报告，保证了工程施工的质量，为业主方的决策和施工的顺利推进提供了数据指导。